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金属氧化物避雷器对气体绝缘开关装置暂态地电位升高的抑制作           
金属氧化物避雷器对气体绝缘开关装置暂态地电位升高的抑制作
作者:佚名 文章来源:不详 点击数: 更新时间:2008-9-26 14:35:14
摘要: 简述了气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)中暂态地电位升高(TGPR)产生的原理及其等值计算模型。利用电磁暂态程序(EMTP)计算了金属氧化物避雷器(MOA)对GIS中快速暂态过电压(VFTO)和暂态地电位升高(TGPR)的抑制效果。仿真计算结果表明,MOA不仅可以抑制VFTO,而且也可较有效地抑制TGPR。
 关键词: 气体绝缘金属封闭开关设备(GIS);暂态地电位升高;金属氧化物避雷器;抑制;快速暂态过电压
       气体绝缘金属封闭开关设备(GIS)因其占地面积小,运行稳定,检修工作量小而越来越多地应用于各电压等级。近年来,无人值班变电站越来越多,运行部门非常关心GIS操作时是否会影响计算机和二次控制设备的正常工作。
   GIS内隔离开关的操作会在GIS内部产生前沿很陡的快速暂态过电压(VFTO),当波阻抗发生变化时,终端套管、互感器等会发生波的折反射,使外壳产生暂态地电位升高(TGPR)[1]。据国际大电网会议(CIGRE)的统计,全球有半数以上的变电站发生过暂态地电位升高的事故。因此应该采取措施限制GIS暂态地电位的升高。

1 TGPR产生的原理

 
图1 GIS中暂态地电位升高原理图


图1为GIS中TGPR产生的原理图[1]。如图1(a)所示,GIS的母线为同轴圆筒式结构。当母线上流过频率很高的VFTO波时,由于集肤效应,VFTO波仅沿母线的外表层及外壳的内表层流动,外壳电位为0。当VFTO波到达套管处时会发生折反射,如图1(b)所示,便是VFTO到达A点后电流的流通路径示意图,其等值电路图如图1(c)所示。根据该等值电路可计算出外壳上A点处的电压U3为
   U3=2Z3·U0/(Z1+Z2+Z3)

2 TGPR等值计算模型

   本文用电磁暂态程序(EMTP)计算TGPR,TGPR的等值计算模型见图2。图2中Es为用于等效GIS内VFTO到达母线与套管交界处的电压波,Z1为母线对外壳的波阻抗,Z2为套管外侧架空线路的波阻抗,Z3为母线外壳对地的波阻抗,L1、L2为接地线电感。

 
  
图2 TGPR的等值计算模型


 
3 金属氧化物避雷器对VFTO和TGPR的抑制效果

  电力系统一般采用改善接地系统来抑制TGPR。通过改善接地系统(使整个地网的阻抗变小)或选定合理的接地方式,可以大大降低TGPR的幅值[2]。据文献[3]报道,使用这种方法可使345 kV GIS的TGPR幅值小于1 kV。但有时因地理条件的限制,特别是水电厂,接地电阻不可能很小,这就需要采用其他方法抑制TGPR。
   在某电厂500 kV GIS的出线套管处加装国内生产的金属氧化物避雷器(MOA)(特性如表1所示),其对VFTO和TGPR的抑制效果分别如图3、图4所示。
  

  表1 金属氧化物避雷器的参数 产品型号 系统标称 电压/kV 工频参考 电压/kV 1/5μs 10kA 陡波冲击残压 (峰值)/kV Y10W5-396/896 500 560 930 Y10W5-420/950 500 594 1045

 
 
图3 500 kV GIS出线套管处VFTO的波形

图4 500kV GIS出线套管处TGPR的波形


  本文假定GIS内隔离开关触头间重击穿时,负荷侧残余电荷电压为-1.0 pu,电源侧电压为1.0 pu。由图3可以看出,未安装MOA时,GIS出线套管处的VFTO幅值约为1073.6kV (2.39pu);安装Y10W5 - 420/950型MOA后,VFTO幅值降低到1000.1kV (2.23 pu);安装Y10W5 - 396/896型MOA后,VFTO幅值降低到911.3kV(2.02 pu),这说明MOA对VFTO有较为明显的抑制作用,并且冲击残压越低,抑制效果越明显。由图4可以看出,未安装MOA时、安装Y10W5 - 420/950型MOA后和安装Y10W5 - 396/896型MOA后,GIS出线套管处TGPR的幅值分别为99.9(0.22 pu)、87.9(0.19 pu)、75.4 kV(0.17 pu)。因此MOA不但对VFTO有抑制作用,并且对TGPR也有一定的抑制效果。MOA的冲击残压越低,其对TGPR的抑制效果越好。文献[4]曾在GIS隔离绝缘子法兰处安装ZnO元件抑制TGPR。本文认为该措施可进一步抑制TGPR。

4 结论

   在GIS出线套管处安装MOA,不但可以抑制VFTO的幅值,而且可抑制TGPR的幅值,是一种较好的抑制TGPR的措施。如果需要更好的抑制效果,可以在安装MOA的基础上,在GIS隔离绝缘子法兰处再安装ZnO元件。

5 参考文献

[1] 贺景亮. 电力系统电磁兼容. 北京: 水利电力出版社,1993.
[2] CIGRE WG232. Earthing of GIS - An application guide, Electra,1993,(151).
[3] 王建生. 用于测量GIS中瞬态外壳电压的电阻性阻抗分压器.高压电器,2001,37(6):17~19.
[4] Nobuhiro S,et al. Suppression of very fast transient overvoltages across insulating flange of 1000kV GIS. 日本电气学会论文志B,2000,120B(1):63~68.

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