图2 TGPR的等值计算模型
3 金属氧化物避雷器对VFTO和TGPR的抑制效果
电力系统一般采用改善接地系统来抑制TGPR。通过改善接地系统(使整个地网的阻抗变小)或选定合理的接地方式,可以大大降低TGPR的幅值[2]。据文献[3]报道,使用这种方法可使345 kV GIS的TGPR幅值小于1 kV。但有时因地理条件的限制,特别是水电厂,接地电阻不可能很小,这就需要采用其他方法抑制TGPR。
在某电厂500 kV GIS的出线套管处加装国内生产的金属氧化物避雷器(MOA)(特性如表1所示),其对VFTO和TGPR的抑制效果分别如图3、图4所示。
表1 金属氧化物避雷器的参数 产品型号 系统标称 电压/kV 工频参考 电压/kV 1/5μs 10kA 陡波冲击残压 (峰值)/kV Y10W5-396/896 500 560 930 Y10W5-420/950 500 594 1045

图3 500 kV GIS出线套管处VFTO的波形

图4 500kV GIS出线套管处TGPR的波形
本文假定GIS内隔离开关触头间重击穿时,负荷侧残余电荷电压为-1.0 pu,电源侧电压为1.0 pu。由图3可以看出,未安装MOA时,GIS出线套管处的VFTO幅值约为1073.6kV (2.39pu);安装Y10W5 - 420/950型MOA后,VFTO幅值降低到1000.1kV (2.23 pu);安装Y10W5 - 396/896型MOA后,VFTO幅值降低到911.3kV(2.02 pu),这说明MOA对VFTO有较为明显的抑制作用,并且冲击残压越低,抑制效果越明显。由图4可以看出,未安装MOA时、安装Y10W5 - 420/950型MOA后和安装Y10W5 - 396/896型MOA后,GIS出线套管处TGPR的幅值分别为99.9(0.22 pu)、87.9(0.19 pu)、75.4 kV(0.17 pu)。因此MOA不但对VFTO有抑制作用,并且对TGPR也有一定的抑制效果。MOA的冲击残压越低,其对TGPR的抑制效果越好。文献[4]曾在GIS隔离绝缘子法兰处安装ZnO元件抑制TGPR。本文认为该措施可进一步抑制TGPR。
4 结论
在GIS出线套管处安装MOA,不但可以抑制VFTO的幅值,而且可抑制TGPR的幅值,是一种较好的抑制TGPR的措施。如果需要更好的抑制效果,可以在安装MOA的基础上,在GIS隔离绝缘子法兰处再安装ZnO元件。
5 参考文献
[1] 贺景亮. 电力系统电磁兼容. 北京: 水利电力出版社,1993.
[2] CIGRE WG232. Earthing of GIS - An application guide, Electra,1993,(151).
[3] 王建生. 用于测量GIS中瞬态外壳电压的电阻性阻抗分压器.高压电器,2001,37(6):17~19.
[4] Nobuhiro S,et al. Suppression of very fast transient overvoltages across insulating flange of 1000kV GIS. 日本电气学会论文志B,2000,120B(1):63~68.