3. 5
6. 0
69. 8884
0. 1144
0. 05
5
3. 5
6. 0
69. 5972
0. 1357
0. 05
平均
3. 5
6. 0
69. 0501
0. 1052
0. 25
3 室温硫化硅橡胶涂料憎水迁移特性研究
室温硫化硅橡胶涂料主要用于户外绝缘，以防止发生污闪事故。它防污闪的根本特性在于其具有优异的憎水性和憎水迁移性，因此，涂料憎水迁移特性的优劣无疑是判断其性能的一项重要指标。
憎水迁移特性的测试采用如下方法：将涂料涂覆在玻璃试品表面，再在涂层表面涂覆硅藻土，附灰密度取2mg／cm2，用在污层表面定量滴小水珠的方法，在不同的时间测定憎水角的大小，绘制出憎水角与时间的关系曲线，即得憎水迁移曲线。
3.1 不同种类的室温硫化硅橡胶的憎水迁移特性
室温硫化硅橡胶主要有两大类：即单组分和双组分。它们具有不同的交联体系。本组试验的目的是考察不同的单组分和不同的双组分室温硫化硅橡胶的憎水迁移特性。不同牌号的单组分和双组分室温硫化硅橡胶的憎水迁移特性如图3和图4所示。
试验结果表明：无论是单组分还是双组分室温硫化硅橡胶，它们都具有憎水迁移性。相比而言，双组分GG03、单组分GD410以及美国的USA比其它牌号的室温硫化硅橡胶涂料憎水迁移性要好。
B1—GD404；B2—GD401；B3—GD407；B4—USA；B5—GD410
图3 不同牌号的单组分室温硫化硅橡胶的增水迁移特性
Fig.3 Hydrophobicity transfer curves of single-
constituent RTV coatings with different trademarks
A1-基胶；A2-SD33；A3-SDT34；A4-HS；A5-GG03；A6-GG01
图4 不同牌号的双组分室温硫化硅橡胶的增水迁移特性
Fig.4 Hydrophobicity transfer curves of double
-constituent RTV coatings with different trademarks
3.2 分子量对憎水迁移特性的影响
选用的室温硫化硅橡胶的分子量为3～10万。基胶的分子量和粘度有一定关系，分子量越大，基胶的粘度也越大。对4种不同分子量硅橡胶憎水迁移特性的试验结果如图5所示。试验结果表明：基胶的粘度越大，即分子量越大，憎水迁移特性越好。
C1-148000mPa*s;C2-11300mPa*S;C3-4800mPa*S;C4-3000mPa*S;
图5 不同分子量基胶的憎水迁移曲线
Fig.5 Hydrophobicity transfer curves of
RTV coatings with different molecular weights
3.3 溶剂对憎水迁移特性的影响
由于现场使用室温硫化硅橡胶涂料时，要用到将近40%的溶剂，因此有必要探讨溶剂对增水迁移特性的影响。不同溶剂的憎水迁移特性曲线如图6所示。试验结果表明：溶剂对憎水迁移特性影响不明显。相比而言，甲苯和丙酮的效果要好一些，但考虑到使用的安全性，还是以溶剂汽油为溶剂较为合适。
E1-甲苯；E2-丙酮；E3-石油醚；E4-溶剂汽油
图6 不同溶剂时憎水迁移曲线
Fig.6 Hydrophobicity transfer curves of RTV
coatings with different solvents
4 结论
(1)选择合适的溶剂和基胶粘度可以提高室温硫化硅橡胶涂料与瓷件的粘附力，使用丙酮和甲苯两种溶剂可以提高粘附力，但由于丙酮和甲苯均具有毒性，因此一般建议使用溶剂汽油。如果还想进一步提高室温硫化硅橡胶涂料的粘附力，则可以选用硅烷偶联剂。 (2)各种牌号的室温硫化硅橡胶的电气参数相差不大，在涂料的其他性能改善后，这些参数亦无大变化。
(3)在室温硫化硅橡胶涂料中加入适当的阻燃剂，可以提高其耐电蚀能力。由于协同效应，多种阻燃剂的添加效果比单纯加一种阻燃剂的效果要好。未改性的涂料只能耐受2kV电压，改性后能耐受
3. 5kV电压。
(4)不同牌号的室温硫化硅橡胶的憎水迁移特性相差不大；溶剂对涂料的憎水迁移特性有影响，考虑到现场使用的安全性，建议使用溶剂汽油；不同的基胶粘度对涂料的憎水迁移特性有影响，但粘度在13000mPa*S以上时涂刷有困难，因此建议使用粘度在1300mPa*S左右的基胶。
5 参考文献
［1］关志成，贾志东.硅橡胶涂层耐污闪性能及憎水迁移特性.高电压技术，1993；19(4)
［2］Carberry R.Silicone coating improves substation insulator performance.Transmission and Distribution, 1989(8)
［3］贾志东，关志成.室温硫化硅橡胶涂料的老化性能及寿命分析.高电压技术，1997；23(3)
［4］梁曦东.500kV合成绝缘子的研制.［博士论文］，北京：清华大学，1991
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